[12p-A403-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[12p-A403-1] 中温域（～200℃）におけるアモルファスシリコンからの表面水素の熱脱離機構に関する検討

〇豊島 安健¹ (1.産総研再エネセンター)

キーワード：表面水素、熱脱離、活性化エネルギー

水素化アモルファスシリコン薄膜の中温域（～200℃）から始まる表面水素の熱脱離は、成長速度の増大には寄与しないものの、歪を持ち込むため微結晶生成を阻害する。その反応機構はSi-Si結合の生成を伴う水素分子脱離と想定されるので、その詳細をクラスタモデルを用いた分子軌道計算により、脱離が観測され始める温度およびその活性化エネルギーについて解明した。