[12p-A403-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[12p-A403-6] Effect of NH₃-related radical treatment at low catalyzer temperatures on SiN_x passivation performance

〇Yoshiaki Sumitomo¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:NH3-related radical treatment, Cat-CVD, Solicon nitride

Cat-CVDチャンバーでのNH₃系ラジカル処理時の触媒体温度を低くすることで、後処理の必要がない場合のSiN_x膜のパッシベーション性能への影響を調査した。ラジカル処理時間増加とともに_effが低下する傾向が見られた。これは、NH₃ガスを導入することにより触媒分解で生成された水素ラジカルによるエッチングであると思われる。処理時間増加とともに接触角がほぼ一定である傾向が見られた。この結果より、窒化が起きていないことが示唆される。