[12p-A403-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[12p-A403-6] 低触媒体温度でのNH₃系ラジカル処理によるSiN_x膜のパッシベーション性能への影響

〇住友 誠明¹、ヒュン ティ　カム　トゥ¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：NH3系ラジカル処理、触媒化学気相堆積、窒化シリコン

Cat-CVDチャンバーでのNH₃系ラジカル処理時の触媒体温度を低くすることで、後処理の必要がない場合のSiN_x膜のパッシベーション性能への影響を調査した。ラジカル処理時間増加とともに_effが低下する傾向が見られた。これは、NH₃ガスを導入することにより触媒分解で生成された水素ラジカルによるエッチングであると思われる。処理時間増加とともに接触角がほぼ一定である傾向が見られた。この結果より、窒化が起きていないことが示唆される。