[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-1] Cl₂ガスを用いた低バイアスドライエッチングで出現するGaNの異方性

〇(B)浜屋 有志¹、岡本 萌¹、新海 聡子¹ (1.九工大)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)