[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-14] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による GaN-HEMT のヘテロ界面ポテンシャル分布のオペランド計測

〇高橋 言緒¹、西村 辰彦²、中西 英俊²、川山 巌^3,4、斗内 政吉³、清水 三聡¹、高田 徳幸¹ (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研、4.京大院エネ科)

キーワード：レーザーテラヘルツ放射顕微鏡、GaN-HEMT