[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-15] GaN-HEMTのリーク電流におけるフィールドプレート膜応力の影響

〇安藤 裕二¹、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、フィールドプレート

内部応力の異なるフィールドプレート絶縁膜を有するGaN-HEMTを作製し、そのリーク電流特性の膜応力依存性を調べた。