[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12p-B401-7] Thermal-assisted generation of sulfate radicals for contactless photo electrochemical (PEC) etching of n-GaN

〇(M1)Kazuki Miwa¹, Hiroki Ogami¹, Masachika Toguchi¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², Yoshinobu Narita², Takehiro Yoshida², Taketomo Sato¹ (1.Hokkaido Univ. RCIQE, 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:Photoelectrochemical, GaN, etching

光電気化学（PEC）エッチングは、低損傷かつ制御性に優れた半導体加工プロセスとして期待されている。更に我々は、強力な酸化剤であるペルオキソ二硫酸カリウム（K₂S₂O₈）を混ぜることにより簡便なコンタクトレス（CL）-PECエッチングに成功した。今回は、加熱を用いた硫酸ラジカルの生成の温度・溶液濃度特性を調査し、GaNエッチングに与える影響について発表する。