[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-7] 加熱による硫酸ラジカルの生成とn-GaN光電気化学（PEC）エッチングへの応用

〇(M1)三輪 和希¹、大神 洸貴¹、渡久地 政周¹、堀切 文正²、福原 昇²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.サイオクス)

キーワード：光電気化学、窒化ガリウム、エッチング

光電気化学（PEC）エッチングは、低損傷かつ制御性に優れた半導体加工プロセスとして期待されている。更に我々は、強力な酸化剤であるペルオキソ二硫酸カリウム（K₂S₂O₈）を混ぜることにより簡便なコンタクトレス（CL）-PECエッチングに成功した。今回は、加熱を用いた硫酸ラジカルの生成の温度・溶液濃度特性を調査し、GaNエッチングに与える影響について発表する。