[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-9] n⁺-GaNとメタルの連続成長による自己整合コンタクト形成

小笠原 直¹、吉本 昌広¹、〇児玉 和樹²、上田 大助² (1.京都工芸繊維大学、2.名古屋大学)

キーワード：ピコ秒レーザPLD、自己整合プロセス、窒化ガリウム

GaN パワーデバイスは低損失かつ高耐圧な電力変換用素子として活発に研究されている。その中でも中低圧レンジのパワーデバイスでは、GaN 層のコンタクト抵抗を低減することでRonを大幅に低減できる。我々はこれまでPLD法を用いて4×10²⁰ cm^-3以上のn⁺-GaN 層を再成長することで、低コンタクト抵抗のノンアロイオーミック電極を形成できることを報告した。今回は、Si/SiO₂の絶縁膜を用いたLift-offプロセスにより、選択領域にn⁺-GaN成長領域とohmic金属（Ni/Au）を連続的に形成することで、マスク合わせ不要とする自己整合プロセスについて報告する。