The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Oral presentation

1 Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology » 1.5 Instrumentation, measurement and Metrology

[12p-B408-1~10] 1.5 Instrumentation, measurement and Metrology

Thu. Mar 12, 2020 1:30 PM - 4:00 PM B408 (2-408)

Nao Terasaki(AIST)

2:00 PM - 2:15 PM

[12p-B408-3] Application of ISFET with chemically grafted extended-gate to temperature sensor

〇(M1)Jun Ishikawa1, Takahisa Tanaka2, Ken Uchida2 (1.Keio Univ., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:temperature sensor, ISFET, ion sensor

溶液に接するゲート表面の電位から,溶液のイオン濃度をモニタリングできる半導体センサはISFETとして知られる.一方で,ホスト-ゲスト系の結合定数は温度の関数になるため,ISFETのゲート表面にホスト分子を修飾することで,ゲスト分子を含む溶液の温度を推測できると考えられる.今回は,ISFETの拡張金属ゲート表面に,ホストとしてクラウンエーテルの自己組織化単分子膜を修飾した構造を,温度センサに応用する検討を行った.