[12p-B408-1~10] 1.5 Instrumentation, measurement and Metrology

[12p-B408-3] Application of ISFET with chemically grafted extended-gate to temperature sensor

〇(M1)Jun Ishikawa¹, Takahisa Tanaka², Ken Uchida² (1.Keio Univ., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:temperature sensor, ISFET, ion sensor

溶液に接するゲート表面の電位から，溶液のイオン濃度をモニタリングできる半導体センサはISFETとして知られる．一方で，ホスト－ゲスト系の結合定数は温度の関数になるため，ISFETのゲート表面にホスト分子を修飾することで，ゲスト分子を含む溶液の温度を推測できると考えられる．今回は，ISFETの拡張金属ゲート表面に，ホストとしてクラウンエーテルの自己組織化単分子膜を修飾した構造を，温度センサに応用する検討を行った．