[12p-B410-1~16] 3.7 レーザープロセシング

△ [12p-B410-10] セルロースナノファイバーのフェムト秒レーザー炭化による導電性構造作製

〇茂呂澤 郁也¹、林 秀一郎²、寺川 光洋^1,2 (1.慶大理工、2.慶大院理工)

キーワード：フェムト秒レーザー、セルロースナノファイバー、炭化

本研究ではセルロースナノファイバー (Cellulose Nanofiber, CNF) フィルムへのフェムト秒レーザー光照射による導電性構造作製を実証した。作製構造をラマン分光法により解析した結果、1350 cm^-1および1600 cm^-1にピークを確認した。これらはグラフェンのDバンドおよびGバンドに相当し、CNFがグラフェンを含む炭素構造へと改質したことが示唆された。照射条件、導電性およびラマンスペクトルの関係から作製構造の導電性にはグラフェンが寄与していると考えられる。