[12p-B410-1~16] 3.7 レーザープロセシング

[12p-B410-4] パルスレーザー堆積法によるポーラスAl₂O₃膜の形成

〇(B)佐嘉田 幹大¹、菊池 俊文^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：パルスレーザー堆積法

次世代のULSIでは，RC遅延時間の改善のため絶縁膜の低誘電率化と配線の低抵抗化が求められる。低誘電率膜を作ることのできる可能性としてポーラス膜とエアギャップを用い、絶縁膜材料にAl₂O₃使用することで配線の低抵抗化が可能であると考える。
我々は，低誘電率膜を作るために，パルスレーザー堆積(PLD)法を使用し，実験を行った．製膜した低誘電率膜の電気特性とAl₂O₃のナノポーラス構造について，発表します．