[12p-D215-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12p-D215-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] In-situ Observation of Anisotropic Lattice Relaxation Processes of GaAsSb/GaAs(001) Using Synchrotron X-ray

〇Koshiro Kubo¹, Syota Nogawa¹, Masahiro Kawano¹, Takuo Sasaki², Masamitu Takahashi², Hidetoshi Suzuki¹ (1.Miyazaki Univ., 2.QST)

Keywords:In-situ Observation, GaAsSb, Lattice Relaxation

多接合太陽電池では格子不整合材料の積層が行われるが、歪み緩和に起因した貫通転位の活性層への伝搬が問題となっている。転位低減のためには歪み緩和のメカニズムの理解が重要である。そこで我々は格子緩和初期に発生するBragg回折ピーク近傍のサテライトピークに注目し、GaAs(001)基板上へのGaAsSb作製時に放射光X線を用いて3次元逆格子マッピングでその場観察することにより、緩和過程初期における転位挙動の異方性を評価した。