[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-10] InAs量子ドットとAl_0.3Ga_0.7As/GaAsヘテロ界面を利用した赤外線検出器の受光感度特性

〇朝日 重雄¹、村田 貴彦¹、Stefano Sanguinetti²、喜多 隆¹ (1.神戸大工、2.ミラノビコッカ大)

キーワード：InAs量子ドット、赤外線検出器