[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-6] 分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成

〇(M2)田中 優太¹、佐々木 一夢¹、山口 浩一¹ (1.電通大院基盤理工)

キーワード：量子ドット、SiOx、ガラス基板