[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-7] 三重層構造を有するInAs/GaAs量子ドットからの1.42µｍ帯発光

〇ZHAN WENBO¹、權 晋寛¹、渡邉 克之¹、角田 雅弘¹、岩本 敏^1,2,3、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.東大先端研)

キーワード：三重層構造、量子ドット、分子線エピタキシー

二重層構造を有するInAs/GaAs量子ドットは量子ドットの発光波長を長波長化できるため注目を集めている。歪緩和層なしの二重層構造量子ドットは1.4µｍでの室温発光が報告されている。発光波長の更なる長波長化のため、我々は三重層構造を有するInAs/GaAs量子ドットという新しい構造を提案した。今回、三重層構造量子ドットから1.42µｍでの室温発光の実現を報告する。この発光波長は報告された二重層構造量子ドットからのものより長いである。