[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-9] GaAsキャップ層により埋め込まれたInAs量子ドットのキャップ層成長レートによる広帯域発光中心波長制御

〇王 涛¹、岡田 直樹¹、大島 仁¹、尾崎 信彦¹、池田 直樹²、杉本 喜正² (1.和歌山大シス工、2.物材機構)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー法、反射高速電子線回折