[12p-D221-1~9] 9.4 Thermoelectric conversion

[12p-D221-1] Thickening of Al-induced layer-exchanged Si_1-xGe_x film for improving
thermoelectric power output

〇Tomoki Ozawa¹, Kinta Kusano¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko^1,2 (1.Univ. of Tsukuba, 2.JST PRESTO)

Keywords:flexible thermoelectric, Al-induced layer exchange, Silicon germanium

SiGe 混晶は，宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ．我々は，SiGe 熱電素子の独立電源への応用を目指し，Al 誘起層交換を用いて優れた熱電特性を有するSiGe 薄膜を絶縁基板（ガラス、プラスチック）上に合成してきた．今回，体積増大による出力向上を目的として，層交換SiGe の厚膜化を検討した．p 型Si_1-xGe_x（0≦x≦1）膜を1000 nm まで厚膜化し，熱電特性を明らかにしたので報告する．