[12p-D221-1~9] 9.4 Thermoelectric conversion

△ [12p-D221-3] p- and n-type Si_1-xGe_x thermoelectric thin films formed by Ag-induced layer exchange

〇Mikie Tsuji¹, Masayuki Murata², Atsushi Yamamoto², Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko^1,3 (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST, 3.JST PRESTO)

Keywords:Thermoelectric, Silicon germanium, Ag-induced layer exchange

SiGe混晶は、宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ。我々は Alや Znを触媒とした「層交換」を用いることで、p型 SiGe熱電薄膜を低温合成してきた。一方、触媒金属にあらかじめ不純物を添加しておくことで、層交換後のSiGe膜中に不純物が自己組織的にドーピングされ 熱電性能が向上することを明らかにしてきた。今回 SiGeに対してドーパントとならない Agを用いSiGeのAg誘起層交換を初めて検討した。さらに、不純物添加による p/n型SiGe熱電薄膜の合成に成功するとともに、熱電デバイス動作を実証したので報告する。