[12p-D221-1~9] 9.4 熱電変換

△ [12p-D221-3] Ag誘起層交換によるp/n型Si_1-xGe_x熱電薄膜の合成

〇辻 美紀江¹、村田 正行²、山本 淳²、末益 崇¹、都甲 薫^1,3 (1.筑波大院、2.産総研、3.JST さきがけ)

キーワード：熱電変換、シリコンゲルマニウム、Ag誘起層交換

SiGe混晶は、宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ。我々は Alや Znを触媒とした「層交換」を用いることで、p型 SiGe熱電薄膜を低温合成してきた。一方、触媒金属にあらかじめ不純物を添加しておくことで、層交換後のSiGe膜中に不純物が自己組織的にドーピングされ 熱電性能が向上することを明らかにしてきた。今回 SiGeに対してドーパントとならない Agを用いSiGeのAg誘起層交換を初めて検討した。さらに、不純物添加による p/n型SiGe熱電薄膜の合成に成功するとともに、熱電デバイス動作を実証したので報告する。