[12p-D311-1~7] 9.3 Nanoelectronics

[12p-D311-3] Investigation of Lateral-type TaOx-ReRAM using Nanogap Structures

〇Yasuhisa Naitoh¹, Sumiya Touru¹, Shima Hisashi¹, Akinaga Hiroyuki¹ (1.NeRI-AIST)

Keywords:nanogap, ReRAM

我々の有するナノギャップ作製技術を応用し、平面に配置されたReRAM素子を実現した。作製素子は数千回の連続動作でも問題なく動作し、また、導電性フィラメントが露出しているため、電子顕微鏡などでの観察が容易である。講演では、素子作製及び、観察したフィラメント構造の詳細構造・組成の観察結果などについても報告する。