[12p-D311-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-D311-3] ナノギャップ構造を用いた平面型TaOx-ReRAMの観察

〇内藤 泰久¹、角谷 透¹、島 久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研ナノエレ)

キーワード：ナノギャップ、抵抗変化型メモリ

我々の有するナノギャップ作製技術を応用し、平面に配置されたReRAM素子を実現した。作製素子は数千回の連続動作でも問題なく動作し、また、導電性フィラメントが露出しているため、電子顕微鏡などでの観察が容易である。講演では、素子作製及び、観察したフィラメント構造の詳細構造・組成の観察結果などについても報告する。