[12p-D311-1~7] 9.3 Nanoelectronics

[12p-D311-5] Pt-based Nanogap Electrodes using a High-k Insulator with a Bottom-Gate Structure

〇(M1)Taisei Igakura¹, Phan Trong Tue¹, Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:quantum device, bottom-gate, high-K

本研究では、分子のエネルギーレベルを効果的に変調できる大きなゲート容量（Cg）を得ることを目的に、High-k誘電体をゲート絶縁体として用いたボトムゲート構造の作製を行った。その内容について報告する。