[12p-D411-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-D411-1] VCMとECMに基づいたTa₂O_5-δ抵抗変化型メモリの初期特性と多値動作

〇李 遠霖¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：抵抗変化メモリ、初期状態、動作モード

抵抗変化型メモリの動作特性は作製材料に依存し、導電フィラメントの種類によって主にvalence change memory (VCM)とelectrochemical memory (ECM)に分類できる。電極材の選定により異なる動作モードが発現されているが、詳細な比較を検討した例はあまりない。本研究では、VCMとECM動作モードの比較に着目し、Ta₂O_5-δ絶縁膜の膜形成条件を制御したうえ、異なる上部電極に組み合わせて初期状態及び動作特性を評価した。