[12p-D411-1~14] 6.3 Oxide electronics

[12p-D411-11] Analog resistance change in series-connected 2 resistance change devices

〇Hisashi SHIMA¹, Makoto TAKAHASHI¹, Yasuhisa NAITOH¹, Hiroyuki AKINAGA¹ (1.NeRI, AIST)

Keywords:Analog resistive change, Oxide

脳の情報処理を模倣することで高い電力効率を実現する次世代コンピューティングの基盤技術として、電圧印加条件に応じて抵抗値がアナログ的に変化する素子が注目されている。金属酸化物を用いた抵抗変化メモリをベースとした素子であるRAND (Resistive Analog Neuro Device)において、単一の素子の場合と比較して、２つの素子を直列に接続した系の場合、抵抗変化のアナログ特性に向上が見られた。系全体のアナログ抵抗変化の過程におけるそれぞれの素子の抵抗変化などについて報告を行う。