[12p-D411-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[12p-D411-12] イオン液体供給型導電性ブリッジメモリにおける抵抗保持特性の改善

〇佐藤 洋士^1,2、木下 健太郎¹、本間 祐晟²、島 久²、内藤 泰久²、秋永 広幸²、伊藤 敏幸³ (1.東理大理、2.産総研、3.鳥取大)

キーワード：ReRAM、CBRAM、リテンション