[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-D419-10] エキシマレーザー照射によるMgAl₂O₄単結晶基板上でのGa₂O₃薄膜の固相結晶化と構造評価

〇松島 拓海¹、森田 公之¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：エキシマーレーザー照射、Ga2O3薄膜、固相結晶化

Ga₂O₃は、α ~ εの多形をとるワイドギャップ半導体である。Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には350℃を超える基板温度が必要とされてきた。比較的高温での成膜によるドーパントの偏析や組成ずれ、積層薄膜における反応層生成などの抑制は、より微細なデバイス形成への貢献が期待できる。本研究ではMgAl₂O₄基板に着目し、エキシマレーザーアニーリングを用いた室温でのGa₂O₃薄膜の固相結晶化および結晶相・配向性など構造への影響を検討した。