[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-D419-13] β-Ga2O3 (\overline{2}01) 単結晶の表面再構成構造解析

〇脇坂 祐斗¹、フロランス アントワーヌ¹、村上 達也¹、高村(山田) 由起子研究¹ (1.北陸先端大)

キーワード：酸化ガリウム、表面、ワイドギャップ半導体

本研究では、大口径単結晶基板が得られ、基板ベースのSBDで優れたパワーデバイス性能を示すβ-Ga₂O₃ (\overline{2}01)単結晶の、加熱処理前後の表面構造と電子状態を解析した。特に、大気中において1100℃で3時間加熱したβ-Ga₂O₃ (\overline{2}01)単結晶では、原子レベルで平坦なステップテラス構造と、[010]方向に3倍の周期をもつ1×3の表面再構成構造が観測された。発表では、内殻光電子分光の結果をもとに、(\overline{2}01)面の再構成構造とその電子状態に関する詳細な議論を行う。