[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-D419-4] α-SnWO₄における正孔生成とp型伝導の発現

〇土橋 優香^1,2、三溝 朱音^1,2、菊地 直人²、簔原 誠人²、相浦 義弘²、西尾 圭史¹ (1.東京理科大学、2.産総研)

キーワード：酸化物半導体

p型化が難しいワイドバンドギャップ酸化物において、価電子帯上端にSnの5s軌道成分をもつSn₂Nb₂O₇およびSnNb₂O₆のp型伝導の発現に成功し、NbO₆八面体中のNbサイトをSn⁴⁺が置換した欠陥により正孔を生成することを見出した。本報告では、Sn₂Nb₂O₇やSnNb₂O₆と同様に八面体構造(WO₆)をもつα-SnWO₄に着目し、WサイトへのSn⁴⁺置換による正孔生成でp型伝導の発現と、結晶構造やSnの化学状態から正孔生成機構に関して議論する。