[12p-D511-1~13] 【CS.6】 8.3 プラズマナノテクノロジーと9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシートと13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[12p-D511-9] Fabrication of Si Textures with Low Etching Margin Using AgNO₃-assisted Alkaline Solution

〇(M2)李 雨晴¹、ヴァン ホアン　ヴァン¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大工)

キーワード：半導体、ナノ構造、シリコンピラミッド

An alternative method to fabricate crystalline Si (c-Si) textures with low etching margin using AgNO₃-assisted alkaline solution is reported.