[12p-D519-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

[12p-D519-5] Investigation of Strain-Shift Coefficients for Si_1-xSn_x by UV Raman Spectroscopy

〇Ryo Yokogawa^1,2, Ryuji Tange³, Masashi Kurosawa^3,4, Atsushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ., 5.MREL)

Keywords:Raman spectroscopy, SiSn, Strain-shift coefficient

SiSn混晶は新たな光学、および熱電発電材料として期待されており、高Sn組成SiSn薄膜を作製するには、基板との格子整合が重要である。またSiSn薄膜の歪量はキャリア移動度に直接影響するため高精度な評価が望まれる。歪量を評価する一つの方法として、我々はラマン分光法に注目しているが、SiSnのラマンシフトと歪量の関係についてこれまで報告例がなく、それゆえに歪換算係数の値が不明瞭である。そこで本研究では単結晶SiSn薄膜を準備し、SiSnの歪換算係数を高精度に導出することに成功したので報告する。