[12p-D519-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [12p-D519-7] Si基板へのイオン注入とレーザーアニールで作製したSi_1-x-yGe_xSn_y薄膜の歪評価

〇小笠原 凱¹、小孫 翔大¹、横川 凌^1,2、吉岡 和俊¹、澤本 直美¹、Borland John³、黒井 隆⁴、川崎 洋司⁵、小椋 厚志^1,6 (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.J.O.B. Technologies、4.日新イオン機器株式会社、5.住友重機械イオンテクノロジー株式会社、6.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：歪、SiGeSn、レーザーアニール

GeはSiと比べて高いキャリア移動度を有するため、次世代チャネル材料として期待されている。歪技術はSiGeチャネルにおいても有効であり、ソース・ドレイン領域にCやSnを導入することで引っ張りや圧縮歪を印加することができる。7 nmノードになるとGe-pMOSにはチャネル領域に2%の等方性圧縮歪、一方でGe-nMOSには2%の等方性引っ張り歪が必要となることが報告されている。また熱負荷を最小限に抑える事で短時間かつ高効率に熱処理が可能なレーザーアニール(LA)が注目を集めている。我々はこれまで、GeやSn又はCをSiGe薄膜にイオン注入し、LA後にラマン分光法を用いて歪評価を行なった。本研究では、デバイス高性能化へ向け、更なる歪量増大を目的にSi基板にGe、Snイオンを注入後、LAを施し、イオン注入および熱処理プロセスによる歪状態の差異を評価した。