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[12p-PA1-2] Efficient THz wave generation from side surface of PPLN by improving ridge structure
Keywords:THz wave, PPLN, Ridge-shaped device
今回我々は、前回よりも十分リッジの高いPPLNデバイス(高さ300 um、幅 20 um、長さ40 mm)を作製した。そして、このデバイスを前回同様にフェムト秒(~100 fs)パルスで励起しTHz波発生実験を行った。その結果、前回のデバイスよりも遥かに効率良くTHz波が発生し、検出信号は前回デバイスの10倍以上となった。