[12p-PA1-1~18] 3.9 Terahertz technologies

[12p-PA1-3] Terahertz wave emitting characteristics of photoconductive antenna using stacked InAs QDs layers with ultrafast carrier relaxation

〇Yasuo Minami¹, Hiromutsu Abe¹, Xiangmeng Lu¹, Naoto Kumagai², Takahiro Kitada¹ (1.Tokushima Univ., 2.AIST)

Keywords:photoconductive antenna, strain-relaxed InGaAs

GaAs基板上で完全に格子緩和させたInGaAs層中に埋め込まれたInAs量子ドットは、1.5 µm帯での光吸収とピコ秒オーダーの超高速なキャリア緩和を可能にしていることから、テラヘルツ波発生・検出光伝導アンテナへの応用を目的とし、面内光電流の評価、励起波長依存性や温度依存性について評価を行ってきた。本研究では、波長1.5 µmのフェムト秒レーザーと本基板を用いたダイポール型光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性を評価した。