[12p-PA1-1~18] 3.9 テラヘルツ全般

[12p-PA1-3] 高速キャリア緩和InAs量子ドット積層構造を用いた光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性

〇南 康夫¹、阿部 広睦¹、盧 翔孟¹、熊谷 直人²、北田 貴弘¹ (1.徳島大院、2.産総研)

キーワード：光伝導アンテナ、歪緩和InGaAs

GaAs基板上で完全に格子緩和させたInGaAs層中に埋め込まれたInAs量子ドットは、1.5 µm帯での光吸収とピコ秒オーダーの超高速なキャリア緩和を可能にしていることから、テラヘルツ波発生・検出光伝導アンテナへの応用を目的とし、面内光電流の評価、励起波長依存性や温度依存性について評価を行ってきた。本研究では、波長1.5 µmのフェムト秒レーザーと本基板を用いたダイポール型光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性を評価した。