[12p-PA1-1~18] 3.9 テラヘルツ全般

[12p-PA1-6] THz受信器応用に向けたNi/n-GaNショットキーバリアダイオード特性の評価

〇三浦 進¹、椋橋 健太¹、五島 敬史郎¹、高橋 言緒²、永瀬 成範^2,3 (1.愛知工大、2.産総研 電子光、3.産総研 GaN-OIL)

キーワード：テラヘルツ、GaN、ショットキーバリアダイオード

近年、GaAs系共鳴トンネルダイオード(RTD)THz発振器とInP系ショットキーバリアダイオード(SBD)THz受信器を用いて、高速無線通信の実験が報告されている。我々は、ワイドバンドギャップ特性、及び、Si基板上にヘテロエピタキシャル成長などの材料物性の窒化物半導体(GaN)を用いることで、高性能なTHzデバイスの実現を目的としている。本発表では、窒化物半導体を用いたTHz受信器の実現に向けて、GaNを用いたSBDの作製、及び、評価を行ったので報告する。