[12p-PA3-1~33] 11 超伝導

[12p-PA3-29] 外部磁束印可によってデータの再構成が可能なメモリセルを用いた単一磁束量子ルックアップテーブルの動作実証

〇(M1)細谷 岳哉¹、山梨 裕希¹、吉川 信行¹ (1.横国大院理工)

キーワード：単一磁束量子回路、メモリセル、ルックアップテーブル

超伝導単一磁束量子回路は高速動作性、低消費電力性といった特徴を持ち次世代の集積回路技術として注目されているが、集積度に課題を抱えている。ルックアップテーブルの設計ではメモリ部分の内部配線は複雑となり回路面積の増大につながる。そこで外部からの電流によってメモリの内部状態の制御が可能な、磁気結合入力機構を持つメモリセルを設計し、従来より高い集積度のLUTの設計・動作実証を行った。