[12p-PA4-1~20] 9.4 Thermoelectric conversion

[12p-PA4-5] Effect of pn junction interface in thin film thermoelectric material on thermoelectric properties

〇Hoshito Murakawa¹, Mutsunori Uenuma¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:Thermoelectric, Thin Film, pn Junction

薄膜型TEGの出力電力密度向上のためには、p型とn型の両方の材料を用いた構造が有効であり、p/n両方の薄膜材料の研究やpn界面の研究が必要である。本研究グループではこれまでにn型のアモルファスInGaZnO (IGZO)薄膜を用いたuni-leg薄膜型TEGの動作実証や、p型酸化物材料であるCuOの熱電特性評価を行ってきた。本研究では、n型材料のIGZOとp型材料のCuOを用いてpn接合を作製し、接合界面が熱電特性に及ぼす影響について評価した。