[12p-PA5-1~34] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-PA5-12] 注入障壁の高いホール輸送材料におけるMIS-CELIV法を用いたキャリア移動度評価

〇(M1)安達 祥¹、鈴木 友菜¹、末延 知義¹、鈴木 充朗¹、中山 健一¹ (1.阪大院工)

キーワード：キャリア移動度、注入障壁、MIS-CELIV法

有機半導体の移動度を評価する方法の一つであるMIS-CELIV法では、MIS構造に充電した電荷を、直線的に増加する電圧で抽出し、その際に得られる過渡電流波形から移動度を算出する。本研究では、HOMOが6.0 eVと深く、注入障壁が大きくSCLC法での移動度評価が困難なCBPについて、MIS-CELIV法によるホール移動度評価を行い、正しい移動度を評価するための測定条件および値の信頼性の判断基準について検討した。