[12p-PA5-1~34] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[12p-PA5-18] Amplification mechanism based on carrier recombination in vertical organic transistors

〇Ryoko Morishita¹, Tomoyoshi Suenobu¹, Mitsuharu Suzuki¹, Ken-ichi Nakayama¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Organic transistor

縦型メタルベース有機トランジスタ(MBOT)は、有機層と電極を交互に挟んだ単純な構造で、面状の大電流を変調可能な有機トランジスタである。我々はこれまでに、n 型およびp 型MBOT の動作に成功しているが、これらのユニポーラデバイスでは中間ベース電極でのキャリア透過を促進するために電極の大気下加熱工程を必要とする。一方、最近我々が注目しているコレクタ層にn 型、エミッタ層にp 型半導体を用いたpn 積層型MBOTは、大気下加熱不要で高い性能を実現できるデバイスである。見かけ上はユニポーラデバイスと同様の電流増幅現象を示すが、その動作メカニズムは異なると考えられる。本研究では、デバイスのベース接地測定結果とインピーダンス測定から推測される電流増幅機構について議論する。