[12p-PA5-1~34] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[12p-PA5-28] Ultraviolet-light cured polysilsesquioxane gate dielectric layers by thiol-ene reaction for pentacene field-effect transistors

〇Kenichiro Yamane¹, Tomoaki Nakagami¹, Yoshio Nakahara¹, Kazuyuki Uno¹, Ichiro Tanaka¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:Polysilsesquioxane, Gate insulator, Thiol-ene reaction

われわれは、耐熱性の低い汎用プラスチック基板上でも重合可能なゲート絶縁膜として、紫外線重合可能なPolysilsesquioxane (PSQ)を検討している。本研究では、キャリア移動度低下の要因となるカルボニル基を用いないエンチオール反応に適したPSQとして3-メルカプトプロピル基を側鎖に持つPSQを合成した。また、低分子架橋剤としてPentaerythrityl tetraallyl etherを用い、それらをゲート絶縁膜材料に用いた結果について報告する。