4:00 PM - 6:00 PM
[12p-PA5-29] Field-effect-transistor consisting of a κ-HgBr thin film
Keywords:Organic Superconductor, Organic Transistor, Organic Mott Insulator
当研究室では、バンドフィリングが0.5のκ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Brやκ-(BEDT-TTF)2Cu(NCS) 2を用いた電界効果トランジスタ(FET)の作製し、ゲート電界によるキャリアドーピングを用いることで、金属/超伝導への相転移に成功している。今回、約4.3 Kで超伝導相転移し、バンドフィリング(0.45)を有しているκ-(BEDT-TTF) 4Hg2.89Br8(κ-HgBr)という分子に着目した。κ-HgBrを用いたFETの作製をし、このキャリアドープがFET特性にどのように影響を与えるか取り組んだのでその結果を報告する。