[12p-PA5-1~34] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[12p-PA5-33] Improved memory characteristics of organic memory transistors using ligand-exchanged PbS colloidal nano-dots as a floating gate layer

〇Seiya Ihara¹, Kazuyuki Uno¹, Ichiro Tanaka¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:Organic memory transistor, PbS collidal nanodots, Ligand exchange

われわれは, フローティングゲートにPbSコロイダルナノドット(CND)単粒子層を用いた有機メモリトランジスタ(OMT)を検討している。このOMTはゲート電極に正の電圧を印加すると生じる閾値電圧のシフトを利用してメモリ効果を得ているが、シフト量が飽和するまでに300秒程度の長い時間を要した。これを解決するために本研究ではCNDの配位子を交換することで書き込み時間を短縮することを試みた。