[12p-PA5-1~34] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-PA5-33] PbSコロイダルナノドットをフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタの配位子交換による特性改善

〇井原 聖矢¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：有機メモリトランジスタ、PbS コロイダルナノドット、配位子交換

われわれは, フローティングゲートにPbSコロイダルナノドット(CND)単粒子層を用いた有機メモリトランジスタ(OMT)を検討している。このOMTはゲート電極に正の電圧を印加すると生じる閾値電圧のシフトを利用してメモリ効果を得ているが、シフト量が飽和するまでに300秒程度の長い時間を要した。これを解決するために本研究ではCNDの配位子を交換することで書き込み時間を短縮することを試みた。