[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-A302-1] n-GaN表面エッチングによるGaInN系緑色LEDのPL強度向上

〇(B)藤木 領人¹、韓 東杓¹、石本 聖治¹、眞野 稜也¹、上島 佑介¹、高橋 遼¹、上田 晋太郎¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体