[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A302-3] InGaN赤色LED (I) 面内残留応力依存性

飯田 大輔¹、庄 喆¹、パベル キリレンコ¹、マーチン ベラスケスリゾ¹、〇大川 和宏¹ (1.KAUST)

キーワード：赤色LED、InGaN、面内応力

GaN下地層の厚みの違いによって面内の残留応力を変化させた上にInGaN赤色LEDを成長し、その特性を比較した。20 mA注入時に、発光波長は635±2 nmに統一するように各InGaN発光層を調節してある。残留圧縮応力が小さくなるにつれて、光出力は向上した。本実験の範囲では20 mA注入時（印加電圧3.3 V）の光出力は0.64 mW, EQE 1.6%, WPE 1.0%であった。