2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月13日(金) 09:00 〜 12:00 A302 (6-302)

小島 一信(東北大)、本田 善央(名大)

10:15 〜 10:30

[13a-A302-6] 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発

小松 天太1、彦坂 年輝2、布上 真也2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.(株)東芝)

キーワード:光導波路、波長変換デバイス、窒化物半導体

GaNは高い光損傷耐性および電気光学効果を有するため、連続変数量子計算を実装するために必要な光パラメトリック増幅器や電界印加型マハツェンダ干渉計を同一基板上に作製できる。将来的に縮退パラメトリック下方変換により発生した800 nm 帯域のスクイーズド光を利用することを想定し、本研究ではその逆過程である400 nm帯域の第二高調波発生を実証するためのGaN導波路型波長変換素子の開発を行った。