The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[13a-A303-1~8] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Fri. Mar 13, 2020 9:30 AM - 11:30 AM A303 (6-303)

Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

11:00 AM - 11:15 AM

[13a-A303-7] Optical Gain Measurement using Variable Stripe Length Method for AgInS2 Nanocrystals

Shotaro Hitomi1, Kohei Kawamura1, Tomoharu Yoshida1, Jun Ishihara1, Takuya Yamane1, Mami Furukawa1, Seiichi Furumi1, Kensuke Miyajima1 (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:Semiconductor nanocrystal, Optical Gain, AgInS2

半導体量子ドットは、量子サイズ効果による優れた光学特性をもつことから注目を集めている。本研究では、無毒で高い発光効率を示すという特徴をもつAgInS2ナノ結晶のレーザー素子材料としての有用性を調べるため光学利得を評価した。石英基板上にコーティングしたAgInS2ナノ結晶集合系の光学利得を可変励起長法により測定した。その結果、光増幅の観測に成功し、レーザー素子として有用であることを明らかにした。