The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[13a-A303-1~8] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Fri. Mar 13, 2020 9:30 AM - 11:30 AM A303 (6-303)

Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[13a-A303-8] Electroluminescence from AgInGaS quantum dots with band-edge emission

Genichi Motomura1, Kei Ogura1, Yukiko Iwasaki1, Tatsuya Kameyama2, Tsukasa Torimoto2, Taro Uematsu3, Susumu Kuwabata3, Toshimitsu Tsuzuki1 (1.NHK STRL, 2.Nagoya Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:quantum dot, electroluminescence, band-edge emission

量子ドットは、高色純度発光が得られる半導体微粒子で、広色域ディスプレイへの応用が期待されている。今回、緑色のバンド端発光を示すAgInGaS (AIGS) 量子ドットを用いてEL素子を試作しEL発光を得た。AIGS量子ドットを発光層とした素子のELスペクトルは、バンド端発光よりもブロードな欠陥準位からの発光が、EL素子構造に依存して出やすくなることが分かった。